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电子元器件详细资料 » IC[27072] » SI2333CDS-T1-GE3
型号:SI2333CDS-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET P-CH D-S 12V SOT-23

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH D-S 12V SOT-23
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)12V
电流_连续漏极(Id)0a025000C7.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C35 毫欧 @ 5.1A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs25nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1225pF @ 6V
功率_最大2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
包装Digi-Reel®

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
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深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
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SI2333CDS-T1-GE3相关型号

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